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BBO電光普克爾盒（用于激光器）
- 產(chǎn)品型號：
- 更新時間：2023-12-18
- 產(chǎn)品介紹：BBO電光普克爾盒（用于激光器）當(dāng)電壓施加到諸如BBO的電光晶體的電極上時，泡克耳斯盒用于改變通過它的光的偏振態(tài)。
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產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Eksma | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,電子 |
BBO電光普克爾盒（用于激光器）
當(dāng)電壓施加到諸如BBO的電光晶體的電極上時，泡克耳斯盒用于改變通過它的光的偏振態(tài)。
特征：
小的壓電振鈴
o低吸收
o陶瓷孔徑是可利用的
o寬廣的傳輸范圍從200納米到2000納米
緊湊的尺寸
應(yīng)用：
o高重復(fù)率DPSS Q開關(guān)
o高重復(fù)率再生放大器控制
o腔傾倒
o光束斬波器
當(dāng)電壓施加到諸如BBO的電光晶體的電極上時，泡克耳斯盒用于改變通過它的光的偏振態(tài)。當(dāng)與起偏器一起使用時，普克爾斯盒可以用作快速光開關(guān)。典型的應(yīng)用包括激光腔的Q開關(guān)，激光腔傾倒以及耦合入再生放大器的光。
BBO電光普克爾盒（用于激光器）
基于BBO的普克爾斯盒可用于從紫外線到2微米以上的波長。低壓電振鈴使得這些普克爾盒對于高功率和高脈沖重復(fù)率激光器的控制具有吸引力。與電池匹配的快速開關(guān)電子驅(qū)動器可用于Q開關(guān)，腔體傾倒和其他應(yīng)用。 PCB系列的普克爾盒是橫向的現(xiàn)場設(shè)備。 BBO的低電光系數(shù)導(dǎo)致高工作電壓。四分之一波長電壓與電極間距和晶體長度的比例成正比。結(jié)果，較小的孔徑器件具有較低的四分之一波長，然而即使對于2.5mm的孔徑器件，四分之一波長電壓也高達4kV @ 1064nm。采用雙晶體設(shè)計來降低所需電壓，并允許以快速開關(guān)時間在半波模式下工作。
型號 | PCB3S | PCB3D | PCB3S/25 | PCB3D/25 | PCB4S | PCB4D |
通光孔徑，mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 3.5 | 3.5 |
晶體大小，（HxL）毫米 | 3x3x20 | 3x3x20 | 3x3x25 | 3x3x25 | 4x4x20 | 4x4x20 |
晶體數(shù)量 | 1 | 2 | 1 | 2 | 1 | 2 |
λ/ 2電壓1064nm，kV DC | <3.5 | <1.8 | <3.0 | <1.5 | <4.6 | <2.3 |
電容，pF | 4 | 6 | 4 | 6 | 3 | 6 |
光傳輸，％ | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 |
對比度 | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 |
細胞大小，毫米 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x57.2 | Ø25.4x42.2 | Ø25.4x67.2 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x57.2 |
對于普克爾盒上述晶體涂層Ar/39Ar @ 1064 nm。其他抗反射涂層可根據(jù)要求提供。10 ns脈沖在1064 nm處的損傷閾值＞5。
型號 | PCB3S-1342 | PCB3D-800 | PCB3S-532 |
通光孔徑，mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
晶體大小，（HxL）毫米 | 3x3x20 | 3x3x20 | 4x4x20 |
晶體數(shù)量 | 1 | 2 | 1 |
λ/ 2電壓1064nm，kV DC | <2.4 | <2.6 | <2.25 |
電容，pF | 1342 | 800 | 532 |
光傳輸，％ | 4 | 6 | 4 |
對比度 | >98 | >98 | >98 |
細胞大小，毫米 | >1:500 | >1:1000 | >1:1000 |
| Ø25.4x57.2 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x37.2 |
1）用正交偏光鏡法測量
規(guī)格如有變更，不另行通知。
BBO電光細胞1040～1070 nm范圍內(nèi)，與主機的高功率和高重復(fù)率激光器
型號 | 通光孔徑 | 四分之一波電壓* | 中心波長 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-1064 | ø 2.5 mm | <1.8 kV DC | 1064 nm |
PCB3S-C-1064 | ø 2.5 mm | <3.5 kV DC | 1064 nm |
PCB4D-C-1064 | ø 3.5 mm | <2.3 kV DC | 1064 nm |
PCB4S-C-1064 | ø 3.5 mm | <4.6 kV DC | 1064 nm |
PCB3D/25-C-1064 | ø 2.5 mm | <1.5 kV DC | 1064 nm |
PCB3S/25-C-1064 | ø 2.5 mm | <3.0 kV DC | 1064 nm |
PCB6.3S-C-1064 | ø 5.8 mm | <7.5 kV DC | 1064 nm |
PCB6.3D-C-1064 | ø 5.8 mm | <3.8 kV DC | 1064 nm |
BBO電光為1020-1040 nm范圍內(nèi)的細胞，鐿主機飛秒激光器
型號 | 通光孔徑 | 四分之一波電壓* | 中心波長 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-1030 | ø 2.5 mm | <1.7 kV DC | 1030 nm |
PCB3S-C-1030 | ø 2.5 mm | <3.4 kV DC | 1030 nm |
PCB4D-C-1030 | ø 3.5 mm | <2.2 kV DC | 1030 nm |
PCB4S-C-1030 | ø 3.5 mm | <4.5 kV DC | 1030 nm |
PCB3D/25-C-1030 | ø 2.5 mm | <1.4 kV DC | 1030 nm |
PCB3S/25-C-1030 | ø 2.5 mm | <2.9 kV DC | 1030 nm |
PCB6.3S-C-1030 | ø 5.8 mm | <7.4 kV DC | 1030 nm |
PCB6.3D-C-1030 | ø 5.8 mm | <3.75 kV DC | 1030 nm |
BBO電光為770-820 nm范圍內(nèi)，細胞鈦：藍寶石飛秒激光器
型號 | 通光孔徑 | 四分之一波電壓* | 中心波長 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-800 | ø 2.5 mm | <1.3 kV DC | 800 nm |
PCB3S-C-800 | ø 2.5 mm | <2.6 kV DC | 800 nm |
PCB4D-C-800 | ø 3.5 mm | <1.7 kV DC | 800 nm |
PCB4S-C-800 | ø 3.5 mm | <3.4 kV DC | 800 nm |
PCB3D/25-C-800 | ø 2.5 mm | <1.1 kV DC | 800 nm |
PCB3S/25-C-800 | ø 2.5 mm | <2.1 kV DC | 800 nm |
自定義普克爾單元庫存
型號 | 通光孔徑 | 四分之一波電壓* | 中心波長 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-1342 | ø 2.5 mm | <2.4 kV DC | 1342 nm |
PCB4S-C-532 | ø 3.5 mm | <2.25 kV DC | 532 nm |
*在中心波長處計算直流電壓的四分之一波長電壓。 脈沖工作電壓通常高達10％。
高于標準的BBO普克爾斯單元具有直徑等于晶體通光孔徑的保護性陶瓷孔。 可以去除陶瓷孔以獲得電光晶體的全開口。
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